简介：
IC集成电路 的用户能够根据其 EMC 参数比较各种类型的 IC，并规定了IC集成电路的EMC测试项目方法和测试设备，这一点很重要。这使得可以选择最佳 IC，并且意味着布局设计和器件可以与 IC 的 EMC 参数保持一致。
对于 IC 制造商而言，其产品的良好 EMC 特性意味着优于竞争对手。因此，IC研发人员应充分了解IC集成电路的EMC测试项目和测试设备，目标是确定那些对 EMC 抗扰度和辐射起决定性作用的参数，并允许工程师为芯片设计得出结论。
IC集成电路的EMC测试项目：
IC EMC测试项目：
您可以直接在EUTTEST网站搜索产品栏中输入以上型号或标准标号查询具体产品的技术参数和测试方法。
如上图所示，IC EMC集成电路电磁兼容测试系统 根据不同的EMC测试标准分为了四种不同的测试项目：
- IC EMI 辐射发射-通过导线传导
- IC EMI 辐射发射-通过空间耦合
- IC EMS 敏感度测试-通过导线传导
- IC EMS 敏感度测试-通过空间和耦合（射频和静电放电）
上图已经直观的显示四种不同 IC EMC 测试项目的耦合方式，IC 研发人员只需要从这四个方面着手准备 EMC 测试项目立项或在已经有IC emc测试系统的情况下进行EMC 整改。
其他相关测试项目：
- 现在，参考人体模型，电子元件（IC、晶体管）的 ESD 强度在规格中引用 1 到几 kV 的值是很常见的。对于人体模型 (HBM)，电容器 (100 pF) 以测试电压充电，并通过 1500 欧姆在被测设备上放电。HBM 在标准 MIL-STD-883G 和 IEC 801-2 中进行了描述。机器模型 (MM) 是根据相同原理工作的进一步测试模型。
- 这两种模型仅用于验证在生产、包装、运输和组装过程中处理组件时 IC 的抗破坏性。在 MM 或 HBM 测试期间，测试对象永远不会连接到电压，即它不运行。
- 根据人体模型指定的 ESD 强度与操作期间的 ESD 行为无关。事实上，为人体模型设计的保护机制（不考虑操作过程中的故障）甚至可能导致IC在功能干扰测试期间出现故障或失效。
- 目前正在开展有关 IC 的 EMC 标准、测试方法和限值的工作。
- 设备（资源和设备）的 EMC 要求已在标准、测试方法和限值中定义。这些器件经过 ESD 和突发测试（IEC 标准 61000-4-2/61000-4-4），测试电压在 kV 范围内。
- 设备中使用的 IC 和其他半导体最终是干扰发射和缺乏抗扰度的原因。
- IC 发出的干扰可以在其接口处进行测量，并在这些测量的基础上进行评估和定义。
- IC 具有较低的抗干扰性，其抗扰度水平在伏特范围内。
- 标准测试期间在器件外部引入的脉冲电压在到达 IC 的过程中会衰减。器件外部的几 kV 电压在 IC 引脚处降低到大约 1 … 100 V 的电压。这些电压可能会超过 IC 的抗扰度水平。这意味着与器件测试相比，IC 的测试电压必须在 1 到几百伏的范围内，而不是在 kV 范围内。只有少数例外（特殊设备）才需要更高的测试电压。
IC集成电路的EMC测试设备：
在了解完集成电路需要做哪些EMC测试项目后，我们在来根据测试项目选择合适的IC EMC 测试系统。
测试集成电路IC 的EMC 问题，您需要不同的探头组（图 3）来确定各种 EMC 参数，用户可以根据使用领域（包括 RF、EFT、ESD、DPI、发射 1 ohm 方法……）选择以下探头组。
另外EUTTEST 提供的集成电路电磁兼容测试系统符合最新的IEC标准和国家标准要求，了解更多关于 IC EMC 测试标准清单 。
- 脉冲磁场注入探头
- 脉冲电场注入探头
- 双脉冲注入探头
- 高频电流探头
- 辐射发射电场测试探头
- 辐射发射磁场测试探头
- EMC 测试软件
- 以上探头的自动测试和位移系统
- IC 测试环境